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產(chǎn)品系列

core product
SiC MOSFET
公司設(shè)計(jì)并生產(chǎn)的SiC 特種MOSFET主要考慮高溫能力更強(qiáng)、極致縮小寄生電容、抗輻照能力改善等特種性能，主要應(yīng)用于公司自身的特種電源系統(tǒng)或?qū)ν獬鍪壑?。以高溫能力為例，常?guī)SiC MOSFET的最高結(jié)溫為175℃，為了將MOS應(yīng)用到200℃以上的電源系統(tǒng)中，公司至少解決了以下幾個(gè)SIC MOS在高溫情況下的關(guān)鍵問(wèn)題：1、高溫情況下的柵氧漏電流大幅增加，2、高溫下非晶態(tài)的隔離氧化層軟化問(wèn)題，3、高溫下MOS閾值電壓的大幅下降問(wèn)題，4、高溫下阻斷電壓大幅下降問(wèn)題，5、高溫下漂移區(qū)電阻增加、溝道電阻降低等。為了解決這些問(wèn)題，公司在柵氧層厚度、低K值的隔離介質(zhì)層材料、P區(qū)離子注入濃度、源極金屬化、封裝等層面下了很大的功夫。公司MOS的結(jié)溫大幅提升，同時(shí)在極高溫情況下的溫漂更小。目前，公司的碳化硅特種芯片也接受定制。
Part NumberStatusBlocking VoltagePackageConfigurationID（A）VGS（V）RDS(ON) (mΩ) typRDS(ON) (mΩ) maxVGSth（V） Ciss（pF）Coss（pF）Crss（pF）Qg*（nC）Qgd（nC）Trr（ns）datasheet
PXMF4565T3 Active2 650 TO247-3 single 45 25 58 72 2 1228 148 24 94 44 22
PXMF10065T3 Active2 650 TO247-3 single 100 25 28 36 2 2310 259 45 138 68 69
PXMF36120T3 Active2 1200 TO247-3 single 36 25 70 85 1.5 1326 67 11 90 40 33
PXMF60120T4 Active2 1200 TO247-4 single 60 25 40 52 1.5
PXMF80120T4 Active2 1200 TO247-4 single 80 25 27 35 1.5 3390 169 16 180 23 44
PXMF06170T3 Active2 1700 TO247-3 single 6 25 380 480 2 319 19 5 33 24 67
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